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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOT410L 是一款采用 TO-220 封装的 N 沟道功率 MOSFET，隶属于 AOS 的 SDMOS 产品系列。其核心优势在于 100V 的漏源击穿电压（Vdss）与极低的导通电阻（典型值 6.5mΩ @ 10V），这确保了器件在高电流下具有出色的传导效率与低功耗特性。
该器件设计用于处理可观的功率，在管壳温度（Tc）条件下支持高达 150A 的连续漏极电流和 333W 的功率耗散。其栅极驱动特性经过优化，标准 10V 驱动电压下的栅极电荷（Qg）为 129nC，有利于实现快速开关并简化驱动电路设计。宽泛的工作结温范围（-55°C 至 175°C）进一步增强了其在严苛环境下的适用性。
基本参数：
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