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零件图片（仅供参考）
规格参数
AO4482L_102是AOS公司生产的一款N沟道功率MOSFET，采用8-SO表面贴装封装。其核心电气特性包括100V的漏源击穿电压（Vdss）以及在10V Vgs、6A Id条件下最大仅37毫欧的低导通电阻（Rds(On)），这确保了在导通状态下具有较低的功率损耗。
该器件设计注重开关性能，其最大栅极电荷（Qg）低至44nC，有助于实现快速的开关切换并减少驱动损耗。其栅极驱动电压范围兼容标准逻辑电平（推荐4.5V至10V），连续漏极电流（Id）额定值为6A（Ta），工作结温范围覆盖-55°C至150°C，适用于要求高效率与可靠性的功率开关应用。
基本参数：
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