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AO4482L_102是AOS公司生产的一款N沟道功率MOSFET，采用8-SO表面贴装封装。其核心电气特性包括100V的漏源击穿电压（Vdss）以及在10V Vgs、6A Id条件下最大仅37毫欧的低导通电阻（Rds(On)），这确保了在导通状态下具有较低的功率损耗。

该器件设计注重开关性能，其最大栅极电荷（Qg）低至44nC，有助于实现快速的开关切换并减少驱动损耗。其栅极驱动电压范围兼容标准逻辑电平（推荐4.5V至10V），连续漏极电流（Id）额定值为6A（Ta），工作结温范围覆盖-55°C至150°C，适用于要求高效率与可靠性的功率开关应用。

• 制造商产品型号：AO4482L_102
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 100V 6A 8SO
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：100V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：6A（Ta）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：37 毫欧 @ 6A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.7V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：44nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2000pF @ 50V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：3.1W（Ta）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-SO
• AO4482L_102，AOS产品一站式供应商。