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AOP605是一款集成N沟道与P沟道MOSFET的阵列芯片，采用8-DIP通孔封装。其核心优势在于提供了30V耐压的逻辑电平驱动互补对，栅极阈值电压最大仅3V，可直接由低压微控制器驱动，极大简化了前级电路设计。

该器件具备优异的开关性能，其导通电阻在10V Vgs下可低至28毫欧，有效降低了导通损耗。同时，较低的栅极电荷（最大16.6nC）和输入电容（最大820pF）确保了快速的开关响应，适用于频率要求较高的PWM控制场景。宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）使其能够适应严苛的工业环境。

• 型号:AOP605
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-PDIP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET N/P-CH 30V 8PDIP
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 和 P 沟道
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):-
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:28 毫欧 @ 7.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16.6nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:820pF @ 15V
• 功率 - 最大值:2.5W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:8-DIP（0.300，7.62mm）
• 供应商器件封装:8-PDIP
• AOP605，AOS产品一站式供应商。