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零件图片(仅供参考)
AOD528
规格参数

AOD528是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET,采用TO-252(D-Pak)表面贴装封装。其核心优势在于极低的导通电阻,在10V Vgs、20A Id条件下典型值仅为5.4mΩ,能显著降低导通损耗,提升系统效率。同时,18nC的低栅极电荷有利于实现快速开关,降低驱动要求与开关损耗。

该器件额定漏源电压为30V,在管壳温度(Tc)条件下连续漏极电流可达50A,展现了强大的电流处理能力。其宽泛的工作结温范围(-55°C ~ 175°C)确保了在恶劣环境下的稳定运行。这些特性使其成为低压、大电流开关应用的理想选择,如DC-DC转换、电机驱动和电源管理等领域。

  • 制造商产品型号:AOD528
  • 制造商:AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体)
  • 描述:MOSFET N-CH 30V 17A/50A TO252
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:AlphaMOS
  • 零件状态:停产
  • FET类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):30V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):17A(Ta),50A(Tc)
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):-
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):5.4 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):18nC @ 10V
  • Vgs(最大值):-
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1400pF @ 15V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):-
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 器件封装:TO-252,(D-Pak)
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    基本参数:
  • 电子零件型号:AOD528
  • 原始制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha Omega Semiconductor)
  • 技术标准参数:MOSFET N-CH 30V 17A/50A TO252
  • 产品应用分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AOD528的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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