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零件图片(仅供参考)

规格参数
AO6400是一款采用6-TSOP封装的N沟道MOSFET,由AOS制造。其核心优势在于优异的导通与开关性能平衡,在10V Vgs、6.9A条件下导通电阻低至28mΩ,同时栅极电荷仅12nC,这有助于显著降低功率转换应用中的传导损耗和开关损耗,提升整体效率。
该器件额定电压30V,连续电流6.9A,并支持-55°C至150°C的宽结温工作范围,具备良好的鲁棒性与可靠性。其2.5V的低驱动电压阈值使其易于被现代低压微控制器或逻辑电路直接驱动,简化了系统设计。这些特性使其成为空间紧凑型电源管理、电机控制和电池保护等应用的理想功率开关解决方案。

基本参数:
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