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零件图片（仅供参考）
AO4800BL
规格参数

AO4800BL是AOS推出的一款采用8-SOIC封装的双N沟道MOSFET阵列。该器件集成了两个独立的功率开关，每个通道在30V漏源电压(Vdss)下可支持高达6.9A的连续漏极电流，其关键优势在于极低的导通电阻，在10V Vgs条件下典型值仅为27毫欧，能显著降低导通状态下的功率损耗。

该MOSFET具备良好的开关特性，栅极电荷(Qg)和输入电容(Ciss)参数优化，有利于实现高效的功率转换。其1.5V的栅极阈值电压确保了与标准逻辑电路的兼容性。宽泛的工作结温范围(-55°C至150°C)和表面贴装形式，使其适用于对空间、效率和可靠性有较高要求的紧凑型电源管理、电机驱动及负载开关应用。

  • 制造商产品型号：AO4800BL
  • 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
  • 描述：MOSFET 2N-CH 8SOIC
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
  • 产品系列：-
  • 零件状态：停产
  • FET类型：2 N-通道（双）
  • FET功能：标准
  • 漏源电压（Vdss）：30V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：6.9A（Ta）
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：27 毫欧 @ 6.9A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：12nC @ 4.5V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1100pF @ 15V
  • 功率-最大值：1.9W（Ta）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
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    基本参数：
  • 电子零件型号：AO4800BL
  • 原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
  • 技术标准参数：MOSFET 2N-CH 8SOIC
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
  • 点击此处查询AO4800BL的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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