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零件图片（仅供参考）
规格参数
AO4264_101是一款N沟道功率MOSFET，采用8-SO表面贴装封装，核心参数包括60V漏源电压（Vdss）和12A连续漏极电流（Id）。其设计重点在于实现高效率，关键特性为在10V Vgs驱动下仅11毫欧的低导通电阻（Rds(on)），这能显著降低导通损耗。
该器件具备良好的开关性能，栅极电荷（Qg）低至20nC（@4.5V），有利于实现快速开关并减少动态损耗。其驱动兼容性强，4.5V至10V的驱动电压范围使其易于被标准逻辑电路驱动。宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）确保了其在各种环境条件下的可靠性，适用于对效率和空间均有要求的电源管理及功率开关应用。
基本参数：
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