我们为全球各个行业提供AOS AO4264_101现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

AO4264_101是一款N沟道功率MOSFET，采用8-SO表面贴装封装，核心参数包括60V漏源电压（Vdss）和12A连续漏极电流（Id）。其设计重点在于实现高效率，关键特性为在10V Vgs驱动下仅11毫欧的低导通电阻（Rds(on)），这能显著降低导通损耗。

该器件具备良好的开关性能，栅极电荷（Qg）低至20nC（@4.5V），有利于实现快速开关并减少动态损耗。其驱动兼容性强，4.5V至10V的驱动电压范围使其易于被标准逻辑电路驱动。宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）确保了其在各种环境条件下的可靠性，适用于对效率和空间均有要求的电源管理及功率开关应用。

• 制造商产品型号：AO4264_101
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CHANNEL 60V 12A 8SO
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：60V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：12A（Ta）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：11 毫欧 @ 12A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：20nC @ 4.5V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2007pF @ 30V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：3.1W（Ta）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-SO
• AO4264_101，AOS产品一站式供应商。