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AOTF11C60_001是AOS公司推出的一款N沟道MOSFET，采用TO-220F封装。其核心电气参数包括600V的漏源击穿电压（Vdss）以及在壳温25°C下11A的连续漏极电流承载能力，为高压开关应用提供了坚实的基础。

该器件的关键优势在于其动态与静态性能的优化组合。其最大导通电阻（Rds(on)）低至440毫欧（@10V， 5.5A），有效降低了导通损耗。同时，42nC（@10V）的最大栅极电荷（Qg）确保了快速的开关切换能力，有助于提升系统整体效率与工作频率。宽泛的-55°C至150°C结温工作范围则保障了其在各种环境条件下的可靠性。

• 制造商产品型号：AOTF11C60_001
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 600V 11A TO220F
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：600V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：11A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：440 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：42nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2000pF @ 100V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：50W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-220F
• AOTF11C60_001，AOS产品一站式供应商。