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AOD418是一款N沟道功率MOSFET，采用TO-252封装，专为高效功率开关应用而设计。其核心优势在于30V的漏源电压（Vdss）额定值下，实现了极低的导通电阻（7.5mΩ @10V Vgs），这能显著降低导通状态下的功率损耗，提升系统整体效率。

该器件具备优异的电流处理能力，在壳温条件下连续漏极电流高达36A，并支持高达50W的功率耗散。其栅极驱动特性兼容逻辑电平（Vgs(th) ≤ 2.5V），且栅极电荷（Qg）较低，有利于实现快速开关并减少驱动电路负担。这些特性使其成为同步整流、DC-DC转换和电机控制等应用的可靠解决方案。

• 型号:AOD418
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 13.5A/36A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13.5A（Ta），36A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7.5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:24 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1380 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta），50W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• AOD418，AOS产品一站式供应商。