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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOD418是一款N沟道功率MOSFET，采用TO-252封装，专为高效功率开关应用而设计。其核心优势在于30V的漏源电压（Vdss）额定值下，实现了极低的导通电阻（7.5mΩ @10V Vgs），这能显著降低导通状态下的功率损耗，提升系统整体效率。
该器件具备优异的电流处理能力，在壳温条件下连续漏极电流高达36A，并支持高达50W的功率耗散。其栅极驱动特性兼容逻辑电平（Vgs(th) ≤ 2.5V），且栅极电荷（Qg）较低，有利于实现快速开关并减少驱动电路负担。这些特性使其成为同步整流、DC-DC转换和电机控制等应用的可靠解决方案。
制造商产品型号：AOD418制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）描述：MOSFET N-CH 30V 13.5A/36A TO252系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：-零件状态：有源FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：30V25°C时电流-连续漏极(Id)：13.5A（Ta），36A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：7.5 毫欧 @ 20A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250A不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：24nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1380pF @ 15VFET功能：-功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），50W（Tc）工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：TO-252，（D-Pak）AOD418，AOS产品一站式供应商。
基本参数：
电子零件型号：AOD418
原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
技术标准参数：MOSFET N-CH 30V 13.5A/36A TO252
产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
点击此处查询AOD418的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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