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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOD2N60A是AOS推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-252表面贴装封装。其核心优势在于600V的高漏源电压额定值与优化的低导通电阻特性，这使其在高压开关应用中能有效降低导通损耗，提升系统效率。
该器件在10V栅极驱动下，导通电阻最大值仅为4.7欧姆（@1A），同时具备较低的栅极电荷（11nC @10V）和输入电容，确保了快速的开关速度和较低的高频开关损耗。其连续漏极电流额定为2A（Tc），最大结温达150°C，并集成体二极管，为反激式转换器、电机驱动和LED驱动等高压、中功率应用提供了可靠且高效的开关解决方案。
基本参数：
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