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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOWF11N70是AOS推出的一款N沟道高压功率MOSFET，采用TO-262F通孔封装。其核心卖点在于700V的高漏源电压（Vdss）额定值与11A（Tc）的连续漏极电流能力，为高压功率开关应用提供了坚实的基础。
该器件在10V栅极驱动下具备较低的导通电阻，有助于减少传导损耗，提升系统效率。同时，优化的栅极电荷（Qg）与输入电容（Ciss）参数有利于实现更快的开关速度并降低驱动损耗。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。
基本参数：
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