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AON6590_001是一款N沟道功率MOSFET，采用8-DFN-EP封装，专为高效能功率管理应用而设计。其核心优势在于极低的导通电阻（典型值0.99mΩ @10V, 20A）与高电流承载能力（壳温下连续电流达100A）的出色结合，能显著降低传导损耗，提升整体系统效率。

器件具备40V的漏源电压（Vdss）和宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C），确保了在严苛环境下的稳定运行。其优化的栅极电荷（最大100nC @10V）有助于实现快速的开关切换并降低驱动损耗，而热增强型封装则提供了卓越的散热性能，最大壳温功耗达208W。这些特性使其成为同步整流、电机驱动和大电流开关等应用的理想解决方案。

• 制造商产品型号：AON6590_001
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 40V 67A/100A 8DFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：40V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：67A（Ta），100A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：0.99 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：100nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：8320pF @ 20V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：7.3W（Ta），208W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-DFN-EP（5x6）
• AON6590_001，AOS产品一站式供应商。