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零件图片(仅供参考)

规格参数
AO4842是AOS公司的一款双N沟道逻辑电平MOSFET阵列,采用8-SOIC表面贴装封装。该器件集成了两个独立的MOSFET通道,每个通道具备30V的漏源电压(Vdss)额定值,并针对低损耗开关应用进行了优化。
其核心优势在于极低的导通电阻,在10V Vgs和7.5A Id条件下,Rds(on)最大值仅为22毫欧,能显著降低传导损耗。同时,最大2.6V的栅极阈值电压使其可直接由3.3V/5V逻辑电路驱动,而11nC的低栅极电荷确保了快速的开关响应。这些特性使其非常适合用于空间受限的高效率DC-DC转换、电机驱动及负载开关等应用。

基本参数:
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