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AOB414_001 是一款采用表面贴装 DPak（TO-263）封装的 N 沟道功率 MOSFET，隶属于 AOS 的 SDMOS 产品系列。其核心电气规格包括 100V 的漏源击穿电压（Vdss），以及在 25°C 环境温度下 6.6A（借助封装散热可达 51A）的连续漏极电流能力。

该器件的关键优势在于其优异的导通特性，在 10V 栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为 25 毫欧，有助于显著降低功率损耗。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在 34nC，结合宽泛的工作温度范围（-55°C ~ 175°C），使其成为要求高效率与高可靠性的中压功率开关应用的理想选择。

• 制造商产品型号：AOB414_001
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 100V 6.6A/51A TO263
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：SDMOS
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：100V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：6.6A（Ta），51A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：7V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：25 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：34nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±25V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2200pF @ 50V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），150W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：TO-263（DPak）
• AOB414_001，AOS产品一站式供应商。