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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOB414_001 是一款采用表面贴装 DPak（TO-263）封装的 N 沟道功率 MOSFET，隶属于 AOS 的 SDMOS 产品系列。其核心电气规格包括 100V 的漏源击穿电压（Vdss），以及在 25°C 环境温度下 6.6A（借助封装散热可达 51A）的连续漏极电流能力。
该器件的关键优势在于其优异的导通特性，在 10V 栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为 25 毫欧，有助于显著降低功率损耗。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在 34nC，结合宽泛的工作温度范围（-55°C ~ 175°C），使其成为要求高效率与高可靠性的中压功率开关应用的理想选择。
基本参数：
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