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零件图片（仅供参考）
规格参数
AON6996是AOS推出的一款高性能双N沟道非对称MOSFET阵列，采用8-PowerSMD封装。其核心卖点在于将两个优化特性的MOSFET集成一体，为同步降压拓扑提供高效的开关解决方案。
该器件具备30V的漏源电压额定值，双通道连续漏极电流能力分别为50A和60A。其关键优势表现为极低的导通电阻（5.2mΩ @ 20A, 10V）与较低的栅极电荷（13nC @ 10V），这共同确保了较低的导通损耗和开关损耗，从而提升整体电源转换效率。其宽工作结温范围（-55°C ~ 150°C）和表面贴装形式，满足了高可靠性、高功率密度应用的设计需求。
基本参数：
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