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AON6996是AOS推出的一款高性能双N沟道非对称MOSFET阵列，采用8-PowerSMD封装。其核心卖点在于将两个优化特性的MOSFET集成一体，为同步降压拓扑提供高效的开关解决方案。

该器件具备30V的漏源电压额定值，双通道连续漏极电流能力分别为50A和60A。其关键优势表现为极低的导通电阻（5.2mΩ @ 20A, 10V）与较低的栅极电荷（13nC @ 10V），这共同确保了较低的导通损耗和开关损耗，从而提升整体电源转换效率。其宽工作结温范围（-55°C ~ 150°C）和表面贴装形式，满足了高可靠性、高功率密度应用的设计需求。

• 型号:AON6996
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 30V 50A/60A 8DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N 沟道（双）非对称型
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):50A，60A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.2 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:820pF @ 15V
• 功率 - 最大值:3.1W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线
• 供应商器件封装:8-DFN（5x6）
• AON6996，AOS产品一站式供应商。