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零件图片（仅供参考）
AON6576
规格参数

AON6576是一款由AOS制造的N沟道功率MOSFET，采用8-DFN（5x6）表面贴装封装。其核心优势在于极低的导通电阻与栅极电荷，在10V Vgs、20A Id条件下，Rds(On)最大值仅为4.7毫欧，Qg最大值仅为27nC，这共同确保了极低的传导损耗和高效的开关性能。

该器件额定漏源电压为30V，在25°C环境温度下可连续承载26A电流，结温工作范围宽达-55°C至150°C。这些参数使其成为空间受限、追求高效率应用的理想选择，如服务器电源、POL转换器及电机驱动等场景。

  • 制造商产品型号：AON6576
  • 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
  • 描述：MOSFET N-CH 30V 26A/32A 8DFN
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：有源
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：30V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：26A（Ta），32A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：4.7 毫欧 @ 20A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：27nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1320pF @ 15V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：5W（Ta），26W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：8-DFN（5x6）
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    基本参数：
  • 电子零件型号：AON6576
  • 原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
  • 技术标准参数：MOSFET N-CH 30V 26A/32A 8DFN
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AON6576的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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