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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOK20S60L是一款采用TO-247封装的N沟道功率MOSFET，隶属于AOS的aMOS产品系列。其核心电气参数包括600V的漏源电压（Vdss）和20A的连续漏极电流（Id），为高压大电流应用提供了坚实的基础。
该器件的关键性能亮点在于其优化的动态与静态特性。其导通电阻（Rds(on)）在10V Vgs下仅为199毫欧（@10A），有效降低了导通损耗。同时，19.8nC的低栅极电荷（Qg）有助于实现快速开关并减少驱动损耗，从而提升系统整体效率。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在恶劣环境下的可靠运行。
基本参数：
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