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AON7402_101是一款N沟道功率MOSFET，采用8-DFN-EP（3x3）表面贴装封装，专为高效功率转换设计。其核心优势在于优异的导通与开关性能平衡，在10V Vgs下提供低至10毫欧的导通电阻（Rds(on)），并具备17.8nC的低栅极电荷（Qg），这共同确保了较低的导通损耗和快速的开关速度，从而提升系统整体效率。

该器件额定漏源电压（Vdss）为30V，连续漏极电流在管壳温度（Tc）下可达39A，工作结温范围宽至-55°C ~ 150°C。其4.5V至10V的驱动电压范围与标准逻辑电平兼容，易于驱动。这些特性使其成为同步整流、DC-DC转换器及各类低压大电流开关应用的可靠选择。

• 制造商产品型号：AON7402_101
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 13.5A/39A 8DFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：13.5A（Ta），39A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：10 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：17.8nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：770pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：3.1W（Ta），26W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-DFN-EP（3x3）
• AON7402_101，AOS产品一站式供应商。