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零件图片（仅供参考）
规格参数
AON6230是AOS推出的一款N沟道功率MOSFET，采用8-DFN封装，专为高功率密度和高效率应用而优化。其核心优势在于极低的导通电阻（低至1.44mΩ @ 10V）与高电流处理能力（连续漏极电流达85A @ Tc），能显著降低传导损耗，提升系统能效。
该器件具备优异的开关性能，其低栅极电荷（114nC @ 10V）有助于实现快速开关并降低驱动损耗，适用于高频开关电源拓扑。同时，它支持宽泛的栅极驱动电压（±20V）和宽广的工作结温范围（-55°C至150°C），确保了设计的灵活性与在苛刻环境下的可靠性。
基本参数：
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