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零件图片(仅供参考)
AON7422G
规格参数

AON7422G是AOS推出的一款高性能N沟道功率MOSFET,采用8-DFN-EP封装,专为高效电源转换和功率开关应用而优化。其核心优势在于极低的导通电阻(典型值4.6mΩ @ 10V, 20A)与高达32A的连续电流承载能力,这显著降低了导通损耗,提升了系统整体效率。

该器件具备30V的漏源击穿电压和快速的开关性能(最大栅极电荷Qg为60nC),确保了在同步整流、DC-DC转换及电机控制等应用中的可靠性与响应速度。其宽泛的工作结温范围(-55°C至150°C)和良好的热特性,使其能够适应各种严苛的环境要求,是空间紧凑、追求高功率密度设计的理想选择。

  • 制造商产品型号:AON7422G
  • 制造商:AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体)
  • 描述:MOSFET N-CHANNEL 30V 32A 8DFN
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:-
  • 零件状态:有源
  • FET类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):30V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):32A(Tc)
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):4.6 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):60nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):2300pF @ 15V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):28W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 器件封装:8-DFN-EP(3x3)
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    基本参数:
  • 电子零件型号:AON7422G
  • 原始制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha Omega Semiconductor)
  • 技术标准参数:MOSFET N-CHANNEL 30V 32A 8DFN
  • 产品应用分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AON7422G的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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