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零件图片(仅供参考)
AOD2810
规格参数

AOD2810是AOS推出的一款N沟道功率MOSFET,采用TO-252(D-Pak)表面贴装封装。其核心电气参数包括80V的漏源电压(Vdss)以及极低的导通电阻(典型条件下Rds(on)为8.5毫欧@10V,20A),这使其在传导损耗方面表现优异,有助于提升整体系统效率。

该器件具备出色的电流处理能力,在特定散热条件下连续漏极电流可达46A(Tc),并支持高达±25V的栅源电压。其开关特性由38nC(@10V)的栅极电荷和优化的电容参数所定义,确保了快速的开关速度,适用于高频开关电源和电机控制等动态应用。宽泛的工作结温范围(-55°C至175°C)进一步保证了其在严苛环境下的可靠性。

  • 制造商产品型号:AOD2810
  • 制造商:AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体)
  • 描述:MOSFET N-CH 80V 10.5A/46A TO252
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:-
  • 零件状态:有源
  • FET类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):80V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):10.5A(Ta),46A(Tc)
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):6V,10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):8.5 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):3.4V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):38nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±25V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1871pF @ 40V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):2.5W(Ta),100W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 器件封装:TO-252,(D-Pak)
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    基本参数:
  • 电子零件型号:AOD2810
  • 原始制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha Omega Semiconductor)
  • 技术标准参数:MOSFET N-CH 80V 10.5A/46A TO252
  • 产品应用分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AOD2810的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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