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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOI468是AOS公司生产的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-251A封装。该器件核心优势在于其300V的漏源电压（Vdss）与11.5A（Tc）的连续漏极电流能力，为中等功率应用提供了坚实的电压与电流基础。
其技术亮点在于实现了低导通损耗与良好开关性能的平衡。在10V驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至420毫欧（@6A），有效降低了传导损耗。同时，最大16nC（@10V）的栅极电荷（Qg）有助于降低驱动需求与开关损耗，提升系统效率。器件支持-50°C至175°C的宽结温范围，确保了在各种环境下的稳定工作。
制造商产品型号：AOI468制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）描述：MOSFET N CH 300V 11.5A TO252系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：-零件状态：有源FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：300V25°C时电流-连续漏极(Id)：11.5A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：420 毫欧 @ 6A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250A不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：16nC @ 10VVgs（最大值）：±30V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：790pF @ 25VFET功能：-功率耗散（最大值）：150W（Tc）工作温度：-50°C ~ 175°C（TJ）安装类型：通孔器件封装：TO-251AAOI468，AOS产品一站式供应商。
基本参数：
电子零件型号：AOI468
原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
技术标准参数：MOSFET N CH 300V 11.5A TO252
产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
点击此处查询AOI468的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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