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零件图片（仅供参考）
规格参数
AON3820是AOS公司推出的一款采用8-DFN封装的双N沟道MOSFET阵列，属于其高性能AlphaMOS产品线。该器件专为高效率和空间受限的应用而设计。
其核心电气参数表现突出：在4.5V Vgs下，导通电阻（Rds(on)）低至8.9毫欧（@8A），可显著降低功率损耗；最大栅极电荷（Qg）仅为20nC，有利于实现高速开关并降低驱动需求。器件额定值为24V漏源电压（Vdss）和8A连续漏极电流（Id），结合-55°C至150°C的宽工作结温范围，确保了在苛刻环境下的稳定运行。
基本参数：
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