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AON7410L_105是AOS推出的一款N沟道功率MOSFET，采用8-DFN-EP（3x3）表面贴装封装，集成了裸露焊盘以优化散热。其核心电气参数针对中低压、高效率应用进行了优化，具备30V的漏源电压（Vdss）额定值。

该器件的关键优势在于其极低的导通损耗与良好的开关性能。在10V Vgs条件下，其最大导通电阻低至20毫欧（@8A），有助于最小化传导损耗。同时，最大12nC的栅极电荷（Qg）与660pF的输入电容（Ciss）相结合，支持快速的开关切换，有利于提升开关电源等应用的频率和效率。其电流承载能力在管壳温度（Tc）下可达20A，展现了强大的功率处理潜力。

• 制造商产品型号：AON7410L_105
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 8A/20A 8DFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：8A (Ta)，20A (Tc)
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：20 毫欧 @ 8A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：12nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：660pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：1.7W (Ta)，20W (Tc)
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-DFN-EP（3x3）
• AON7410L_105，AOS产品一站式供应商。