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AOTS21115C是一款由AOS制造的P沟道MOSFET，采用6-TSOP表面贴装封装。其核心电气参数定义了其作为高效功率开关的定位：20V的漏源电压（Vdss）和6.6A的连续漏极电流（Id）能力，确保了其在低压、中电流应用中的适用性。

该器件的突出卖点在于其极低的导通电阻，在4.5V Vgs下最大值仅为40毫欧，能显著降低功率损耗。同时，低至17nC的栅极电荷（Qg）和950mV的栅极阈值电压（Vgs(th)）使其易于被低压逻辑信号驱动，并实现快速开关，优化系统效率与动态响应。宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C TJ）进一步保障了其在各种环境下的可靠性。

• 型号:AOTS21115C
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:6-TSOP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 6.6A 6TSOP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.6A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:40 毫欧 @ 6.6A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:950mV @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:930 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:6-TSOP
• 封装/外壳:SC-74，SOT-457
• AOTS21115C，AOS产品一站式供应商。