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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOTS21115C是一款由AOS制造的P沟道MOSFET，采用6-TSOP表面贴装封装。其核心电气参数定义了其作为高效功率开关的定位：20V的漏源电压（Vdss）和6.6A的连续漏极电流（Id）能力，确保了其在低压、中电流应用中的适用性。
该器件的突出卖点在于其极低的导通电阻，在4.5V Vgs下最大值仅为40毫欧，能显著降低功率损耗。同时，低至17nC的栅极电荷（Qg）和950mV的栅极阈值电压（Vgs(th)）使其易于被低压逻辑信号驱动，并实现快速开关，优化系统效率与动态响应。宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C TJ）进一步保障了其在各种环境下的可靠性。
基本参数：
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