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AON7452是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其SDMOS产品系列。该器件采用8-DFN（3x3）紧凑型封装，额定漏源电压（Vdss）为100V，在25°C环境温度下可支持2.5A的连续漏极电流，管壳温度下则可达5.5A。

其核心优势在于优异的导通与开关性能平衡。在10V Vgs驱动下，导通电阻（Rds(On)）最大值仅为310毫欧，有助于降低导通损耗。同时，极低的栅极电荷（Qg，最大值4nC）和输入电容（Ciss，最大值185pF）确保了快速的开关瞬态，能有效减少开关损耗并简化驱动设计。器件工作结温范围宽达-55°C至150°C，适用于要求高可靠性的各类电源转换与功率控制场景。

• 型号:AON7452
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN-EP（3x3）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 2.5A/5.5A 8DFN
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A（Ta），5.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:7V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:310 毫欧 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.7V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:185 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3.1W（Ta），17W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-DFN-EP（3x3）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• AON7452，AOS产品一站式供应商。