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零件图片（仅供参考）
AOTF12N60FD_001
规格参数

AOTF12N60FD_001是AOS推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220F封装。其核心电气规格定义了它在高压功率管理电路中的适用性：600V的漏源电压（Vdss）确保了其在离线电源应用中的高压耐受能力，而在壳温（Tc）条件下12A的连续漏极电流额定值则表明其能够处理可观的功率水平。

这些参数共同构成了该器件作为高效电源开关的基础。TO-220F封装提供了标准的安装接口和良好的散热路径，适合需要通过外部散热器进行热管理的应用。该器件适用于需要可靠高压切换的场合，其规格参数为电源设计师在初级侧开关、PFC及电机驱动等电路中选择合适的功率器件提供了关键依据。

  • 制造商产品型号：AOTF12N60FD_001
  • 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
  • 描述：MOSFET N-CH 600V TO220F
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：停产
  • FET类型：-
  • 技术：-
  • 漏源电压（Vdss）：-
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：12A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：-
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：-
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：-
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：-
  • Vgs（最大值）：-
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：-
  • 工作温度：-
  • 安装类型：-
  • 器件封装：-
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    基本参数：
  • 电子零件型号：AOTF12N60FD_001
  • 原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
  • 技术标准参数：MOSFET N-CH 600V TO220F
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AOTF12N60FD_001的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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