AOS代理商全球库存查询及产品技术资料下载
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零件图片（仅供参考）
规格参数
AON6403L是一款由AOS制造的P沟道功率MOSFET，采用8-DFN-EP表面贴装封装。其核心优势在于极低的功率损耗，在10V Vgs条件下，导通电阻典型值低至3.1毫欧（@20A），同时栅极电荷控制在196nC，这共同确保了在高频开关和连续导通应用中均能实现出色的能效。
该器件额定漏源电压为30V，具备强大的电流处理能力，在管壳温度（Tc）下连续漏极电流可达85A，最大功耗83W（Tc），工作结温范围宽至-55°C ~ 150°C。这些参数使其成为高密度电源设计、负载开关和电机控制等应用中，追求高效率与高可靠性的有力解决方案。
基本参数：
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