AOS代理商全球库存查询及产品技术资料下载
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零件图片（仅供参考）
规格参数
AON6312是一款由AOS制造的N沟道功率MOSFET，采用8-DFN-EP封装。其核心电气参数定义了卓越的性能：30V的漏源电压和高达85A的连续漏极电流提供了强大的功率处理能力，而低至1.85毫欧（@10V Vgs, 20A）的导通电阻则显著降低了传导损耗。
该器件在开关性能上同样出色，最大65nC的栅极电荷有助于实现快速开关并降低驱动损耗，其2.2V的栅极阈值电压确保了与标准逻辑电平驱动的良好兼容性。结合宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）和表面贴装形式，AON6312为高效率、高功率密度的电源转换和电机控制应用提供了可靠的半导体解决方案。
基本参数：
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