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零件图片（仅供参考）
AOK60N30L
规格参数

AOK60N30L是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-247封装。该器件设计用于高压开关应用，其核心电气参数包括300V的漏源击穿电压(Vdss)以及在壳温条件下高达60A的连续漏极电流(Id)承载能力。

其关键优势在于极低的导通损耗，在10V栅极驱动、30A电流条件下，导通电阻(Rds(on))典型值仅为56毫欧。同时，优化的动态特性，如最大106nC的栅极总电荷(Qg)，有助于实现高效率的高频开关操作。这些特性使其成为工业电源、电机驱动和能源转换系统中追求高可靠性与高能效的理想功率开关选择。

  • 制造商产品型号：AOK60N30L
  • 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
  • 描述：MOSFET N-CH 300V 60A TO247
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：有源
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：300V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：60A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：56 毫欧 @ 30A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.1V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：106nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±30V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：5330pF @ 25V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：658W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 器件封装：TO-247
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    基本参数：
  • 电子零件型号：AOK60N30L
  • 原始制造厂商：AOS（美国万代半导体，Alpha Omega Semiconductor）
  • 技术标准参数：MOSFET N-CH 300V 60A TO247
  • 产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AOK60N30L的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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