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AON7532E是AOS AlphaMOS系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用8-DFN紧凑型封装，专为高效率、高密度电源设计而优化。其核心优势在于极低的导通电阻（3.5毫欧 @ 10V，20A）与较低的栅极电荷（40nC @ 10V），这共同确保了在开关电源和电机驱动应用中具有出色的传导损耗和开关损耗性能。

该器件额定漏源电压为30V，连续漏极电流在环境温度下可达30.5A，具备强大的电流处理能力。其宽泛的栅极驱动电压范围（4.5V至±20V）和2.2V的最大阈值电压，使其易于被标准逻辑电路驱动。结合-55°C至150°C的宽工作结温范围，AON7532E为要求高可靠性和高效率的紧凑型功率电子系统提供了可靠的解决方案。

• 型号:AON7532E
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN（3x3）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 30.5A/28A 8DFN
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):28A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1950 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:5W（Ta），28W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-DFN（3x3）
• 封装/外壳:8-SMD，扁平引线
• AON7532E，AOS产品一站式供应商。