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零件图片（仅供参考）
规格参数
AONS32100是AOS公司生产的一款N沟道功率MOSFET，采用8-DFN-EP表面贴装封装。该器件的核心优势在于其极低的导通电阻，在10V Vgs条件下典型值仅为0.73毫欧，配合240nC的低栅极电荷，有效降低了导通与开关损耗，提升了电源转换效率。
其电气规格强劲，额定漏源电压为25V，连续漏极电流在环境温度下为73A，在管壳温度下可达400A，具备出色的电流处理能力。最大功率耗散为250W（Tc），工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在高功率密度应用中的稳定性和可靠性。
基本参数：
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