AOS代理商全球库存查询及产品技术资料下载
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零件图片（仅供参考）
规格参数
AON6998是AOS公司生产的一款双N沟道功率MOSFET阵列，采用8-PowerWDFN表面贴装封装。该器件集成了两个非对称的N沟道MOSFET，漏源电压（Vdss）为30V，在25°C下可分别提供19A和26A的连续漏极电流，具备强大的功率处理能力。
其核心优势在于极低的导通电阻，在10V Vgs和20A Id条件下，Rds(on)最大值仅为5.2毫欧，能有效降低传导损耗。同时，低至13nC的栅极电荷（Qg @ 10V）和820pF的输入电容（Ciss @ 15V）确保了快速的开关性能，有助于提升高频电源转换效率。宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）使其适用于各种环境条件。
基本参数：
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