AOS代理商全球库存查询及产品技术资料下载
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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOI2606是AOS公司生产的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-251A通孔封装。该器件核心优势在于其60V的漏源电压（Vdss）额定值与低至6.8毫欧的导通电阻（Rds(on)），在10V栅极驱动下，能够高效处理高达14A（Ta）/46A（Tc）的连续电流，显著降低功率损耗。
其电气参数针对快速开关和易驱动进行了优化，具备较低的栅极电荷（75nC @ 10V）和标准逻辑电平兼容的栅极阈值电压，有助于提升开关频率并简化驱动设计。器件支持高达150W（Tc）的功率耗散，并拥有-55°C至175°C的宽工作结温范围，确保了在严苛环境下的可靠性与稳定性。
基本参数：
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