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AOI2606是AOS公司生产的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-251A通孔封装。该器件核心优势在于其60V的漏源电压（Vdss）额定值与低至6.8毫欧的导通电阻（Rds(on)），在10V栅极驱动下，能够高效处理高达14A（Ta）/46A（Tc）的连续电流，显著降低功率损耗。

其电气参数针对快速开关和易驱动进行了优化，具备较低的栅极电荷（75nC @ 10V）和标准逻辑电平兼容的栅极阈值电压，有助于提升开关频率并简化驱动设计。器件支持高达150W（Tc）的功率耗散，并拥有-55°C至175°C的宽工作结温范围，确保了在严苛环境下的可靠性与稳定性。

• 型号:AOI2606
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-251A
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 14A/46A TO251A
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Ta），46A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.8 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:75 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4050 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta），150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251A
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK
• AOI2606，AOS产品一站式供应商。