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零件图片(仅供参考)

规格参数
AON4407_003 是AOS公司推出的一款P沟道MOSFET,采用8-DFN(3x2)表面贴装封装。其核心优势在于针对12V低压应用进行了优化,在4.5V驱动电压下可实现低至20毫欧的导通电阻,并支持高达9A的连续漏极电流,有效降低了功率损耗。
该器件具备23nC的低栅极电荷和2100pF的输入电容,确保了快速的开关速度和易于驱动的特性。其工作结温范围宽达-55°C至150°C,适用于要求高可靠性和高效能的紧凑型电源管理、负载开关及电池保护电路等应用场景。

基本参数:
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