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AOT190A60L是AOS推出的一款N沟道功率MOSFET，采用标准的TO-220-3通孔封装。其核心规格为600V的漏源击穿电压，这一高耐压等级使其能够稳定工作在工业电源、电机驱动等存在高压应力的环境中。

该器件的设计重点在于优化高压下的导通性能与开关速度。较低的导通电阻有助于减少导通损耗，提升系统效率；而优化的内部电容参数则支持更快的开关频率，降低开关损耗。TO-220封装提供了良好的机械强度和散热能力，适合需要高可靠性和有效热管理的功率应用场景。

• 型号:AOT190A60L
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V TO220-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:170 毫欧 @ 7.6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.6V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1935 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:208W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• AOT190A60L，AOS产品一站式供应商。