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零件图片（仅供参考）
规格参数
AO5803E是AOS推出的一款采用SC89-6L（SOT-563）封装的表面贴装型双P沟道MOSFET阵列。该器件专为空间受限的低压开关应用设计，集成了两个独立的逻辑电平门控MOSFET通道。
其核心优势在于优异的易驱动性和紧凑性。器件具备低至900mV（最大值）的栅极阈值电压，可直接由微控制器逻辑电平驱动。在4.5V栅源电压下，每通道提供800毫欧（最大值）的低导通电阻，有助于降低导通损耗。20V的漏源电压额定值及100pF（最大值）的低输入电容，使其非常适合用于便携式设备的负载开关、电源分配和信号切换等应用。
基本参数：
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