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AON6934A是AOS推出的一款双N沟道功率MOSFET阵列，采用8-PowerVDFN表面贴装封装。该器件集成了两个逻辑电平门驱动的N沟道MOSFET，构成一个紧凑的半桥，其漏源电压(Vdss)为30V，连续漏极电流(Id)最高可达30A。

其核心电气优势在于极低的导通电阻与栅极电荷。在10V Vgs、20A Id条件下，导通电阻(Rds(on))最大值仅为5.2毫欧，有效降低了传导损耗。同时，最大栅极电荷(Qg)为22nC，确保了快速的开关速度，有利于提升系统效率和开关频率。这些特性使其非常适合用于空间受限、要求高效率的同步整流DC-DC转换器、电机驱动及负载开关等应用。

• 型号:AON6934A
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 30V 22A/30A 8DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N 沟道（双）非对称型
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):22A，30A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.2 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1037pF @ 15V
• 功率 - 最大值:3.6W，4.3W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 供应商器件封装:8-DFN（5x6）
• AON6934A，AOS产品一站式供应商。