AOS代理商全球库存查询及产品技术资料下载
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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOWF4S60是AOS公司推出的aMOS系列N沟道功率MOSFET，采用TO-262F通孔封装。该器件核心特性在于其600V的漏源电压（Vdss）额定值与4A的连续漏极电流（Id）能力，为高压开关应用提供了坚实的基础。
其技术优势体现在优异的开关性能上，最大栅极电荷（Qg）低至6nC，配合较低的导通电阻，有助于实现高效率和高频操作，减少开关损耗。器件工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定性和可靠性，适用于各类电源转换与电机控制场景。
基本参数：
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