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零件图片(仅供参考)
AOB414
规格参数

AOB414是AOS公司推出的一款N沟道功率MOSFET,隶属于其SDMOS产品系列。该器件采用TO-263(DPak)表面贴装封装,额定漏源电压(Vdss)为100V,具备出色的电流处理能力,在管壳温度(Tc)下连续漏极电流(Id)可达51A。

其核心优势在于优异的导通性能与开关特性。在10V栅极驱动下,导通电阻(Rds(On))最大值仅为25毫欧 @ 20A,有效降低了导通损耗。同时,较低的栅极电荷(Qg,最大值34nC @ 10V)有助于实现高效的快速开关操作。宽广的工作结温范围(-55°C ~ 175°C)与高达150W(Tc)的功率耗散能力,确保了其在严苛环境下的高可靠性,适用于各类中高功率的开关电源与电机驱动应用。

  • 制造商产品型号:AOB414
  • 制造商:AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体)
  • 描述:MOSFET N-CH 100V 6.6A/51A TO263
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:SDMOS
  • 零件状态:有源
  • FET类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):100V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):6.6A(Ta),51A(Tc)
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):7V,10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):25 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):4V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):34nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±25V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):2200pF @ 50V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):2.5W(Ta),150W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 器件封装:TO-263(DPak)
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    基本参数:
  • 电子零件型号:AOB414
  • 原始制造厂商:AOS(美国万代半导体,Alpha Omega Semiconductor)
  • 技术标准参数:MOSFET N-CH 100V 6.6A/51A TO263
  • 产品应用分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 点击此处查询AOB414的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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