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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOSN21319C是AOS公司推出的一款P沟道功率MOSFET，采用SC-70-3紧凑型封装。其核心卖点在于30V的漏源电压（Vdss）和2.6A的连续漏极电流（Id）承载能力，结合在10V驱动下仅100毫欧的最大导通电阻，为系统提供了高效的低损耗开关解决方案。
该器件具备优异的动态特性，最大栅极电荷（Qg）低至12nC，有助于实现高速开关并降低开关损耗。其2.2V的最大栅源阈值电压（Vgs(th)）使其易于与标准逻辑电平接口兼容。宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）和±20V的栅源电压耐受能力，进一步确保了其在各种应用环境下的可靠性与鲁棒性。
基本参数：
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