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零件图片（仅供参考）
规格参数
AON6278是AOS公司生产的一款N沟道功率MOSFET，采用8-DFN（5x6）表面贴装封装。该器件设计用于高效功率转换，其核心电气参数包括80V的漏源电压（Vdss）以及高达34A（Ta）/85A（Tc）的连续漏极电流能力。
其关键性能优势体现在极低的导通电阻，典型值仅为3.3毫欧（@10V，20A），可显著降低传导损耗。同时，优化的栅极电荷（最大86nC @10V）有助于实现快速的开关切换并控制开关损耗。该MOSFET支持宽范围栅极驱动电压，并能在-55°C至150°C的结温范围内稳定工作，适用于要求高可靠性和高效率的电源与电机驱动应用。
基本参数：
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