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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOTF12N50是一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220-3F封装，专为高压高效开关应用而设计。其核心参数包括500V的漏源电压（Vdss）和12A的连续漏极电流（Id），提供了强大的功率处理能力。
该器件的关键优势在于其优化的动态性能，其最大导通电阻（Rds(on)）低至520毫欧（@10V， 6A），有助于显著降低导通损耗。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为37nC（@10V），确保了快速的开关切换，有利于提升系统频率和整体效率。这些特性使其成为工业电源、电机驱动和功率转换系统中高可靠性开关元件的理想选择。
基本参数：
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