AOS代理商全球库存查询及产品技术资料下载
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零件图片（仅供参考）
规格参数
AON6502是一款由AOS制造的N沟道功率MOSFET，采用8-DFN表面贴装封装。其核心优势在于高达30V的漏源电压（Vdss）和卓越的电流处理能力，在25°C下连续漏极电流（Id）分别达到49A（Ta）和85A（Tc），适用于高功率应用。
该器件的关键卖点是其极低的导通电阻，在10V Vgs和20A Id条件下，Rds(On)最大值仅为2.2毫欧，能显著降低传导损耗。同时，其栅极电荷（Qg）最大值为64nC，有助于实现快速开关，提升系统效率。宽泛的工作温度范围（-55°C ~ 150°C TJ）和强大的功率耗散能力（最大83W @ Tc）确保了其在恶劣环境下的高可靠性。
基本参数：
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