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AO6602L是AOS公司生产的一款采用6-TSOP（SOT-457）封装的表面贴装型N沟道与P沟道互补MOSFET阵列。该器件专为逻辑电平驱动优化，栅极阈值电压低，可直接由标准微控制器端口驱动，极大简化了系统设计。

其核心电气参数表现优异，支持30V的漏源电压，在10V栅极电压下导通电阻典型值低至75毫欧，确保了高效的电能传输。同时，极低的栅极电荷（最大8.5nC）和输入电容使其具备快速的开关性能，有助于降低整体开关损耗。宽广的工作结温范围（-55°C 至 150°C）则保证了其在各种环境下的可靠性。

综上所述，AO6602L凭借其高集成度、低导通阻抗和快速开关特性，非常适合应用于空间紧凑、要求高效率的DC-DC转换、电机控制、负载开关及电源管理电路。

• 型号:AO6602L
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:6-TSOP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET N/P-CH 30V 6TSOP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 和 P 沟道互补型
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):-
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:75 毫欧 @ 3.1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.5nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:240pF @ 15V
• 功率 - 最大值:1.15W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:SC-74，SOT-457
• 供应商器件封装:6-TSOP
• AO6602L，AOS产品一站式供应商。