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AOB11C60是AOS推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-263表面贴装封装。其核心优势在于600V的高漏源电压和11A的连续漏极电流处理能力，为高压应用提供了坚实的基础。

该器件通过优化的设计实现了较低的导通阻抗，典型Rds(on)仅为440毫欧 @ 10V Vgs，有效降低了导通损耗。同时，其42nC的栅极电荷有助于实现快速的开关速度，提升系统效率。宽泛的工作温度范围(-55°C至150°C)和高达278W的功率耗散能力，确保了其在各种环境下的可靠性与稳定性。

• 型号:AOB11C60
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 11A TO263
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:440 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:42 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2000 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:278W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• AOB11C60，AOS产品一站式供应商。