我们为全球各个行业提供AOS AO5404E_001现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

AO5404E_001是一款N沟道MOSFET，采用SC-89-3超小型封装，专为高密度板级设计优化。其核心优势在于兼容低至1.8V的逻辑电平驱动，最大栅极阈值电压仅1V，可直接由微控制器GPIO控制，显著简化外围电路。

该器件在4.5V栅极电压下提供低至550毫欧的导通电阻（500mA条件），配合仅1nC的栅极电荷和45pF的输入电容，实现了高效率与快速开关特性的良好结合。其额定参数包括20V漏源电压、500mA连续电流及-55°C至150°C的宽工作结温范围，适用于要求紧凑布局与低功耗的各类低压开关应用。

• 制造商产品型号：AO5404E_001
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 20V 500MA SC89-3
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：20V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：500mA（Ta）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.8V，4.5V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：550 毫欧 @ 500mA，4.5V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：1nC @ 4.5V
• Vgs（最大值）：±8V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：45pF @ 10V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：280mW（Ta）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：SC-89-3
• AO5404E_001，AOS产品一站式供应商。