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零件图片(仅供参考)

规格参数
AO5404E_001是一款N沟道MOSFET,采用SC-89-3超小型封装,专为高密度板级设计优化。其核心优势在于兼容低至1.8V的逻辑电平驱动,最大栅极阈值电压仅1V,可直接由微控制器GPIO控制,显著简化外围电路。
该器件在4.5V栅极电压下提供低至550毫欧的导通电阻(500mA条件),配合仅1nC的栅极电荷和45pF的输入电容,实现了高效率与快速开关特性的良好结合。其额定参数包括20V漏源电压、500mA连续电流及-55°C至150°C的宽工作结温范围,适用于要求紧凑布局与低功耗的各类低压开关应用。

基本参数:
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