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零件图片（仅供参考）
规格参数
AO4722是AOS公司基于SRFET技术制造的一款N沟道功率MOSFET，采用8-SOIC表面贴装封装。其核心电气参数包括30V的漏源电压（Vdss）和8.5A的连续漏极电流（Id），适用于低压大电流应用场景。
该器件的关键优势在于其极低的导通电阻，在10V Vgs下最大值仅为14毫欧，以及极低的栅极电荷（Qg，最大值20nC @ 10V）。这两项特性的结合，使其在导通损耗和开关损耗方面均有优异表现，能显著提升电源转换效率。其2.5V的最大栅极阈值电压确保了与标准逻辑电平的良好兼容性，便于驱动电路设计。
基本参数：
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