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AO4403L 零件图片(仅供参考)

AO4403L
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AO4403L 规格参数

AO4403L是一款由AOS制造的P沟道MOSFET,采用8-SO表面贴装封装。其核心电气参数包括30V的漏源电压(Vdss)和6A的连续漏极电流(Id),适用于低压大电流的开关场景。

该器件的突出优势在于其优异的导通特性,在10V Vgs下导通电阻(Rds(On))最大值低至46毫欧,能有效降低功率传导损耗。同时,其栅极电荷(Qg)和输入电容(Ciss)参数优化良好,有利于实现高效率的高频开关操作。其宽泛的工作温度范围(-55°C ~ 150°C TJ)确保了环境适应性。

  • 型号:AO4403L
  • 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
  • 封装:8-SOIC
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET P-CH 30V 6A 8SO
  • 系列:-
  • 包装:散装
  • 产品状态:停产
  • FET 类型:P 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):46 毫欧 @ 6.1A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1.3V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):11.3 nC @ 4.5 V
  • Vgs(最大值):±12V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1128 pF @ 15 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):3.1W(Ta)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:8-SOIC
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154\\
  • AO4403L,AOS产品一站式供应商。
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AO4403L 基本参数:

  • 电子零件型号:AO4403L
  • 原始制造厂商:AOS(Alpha and Omega Semiconductor,万代半导体)
  • 技术标准参数:MOSFET P-CH 30V 6A 8SO
  • 产品应用分类:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 点击此处查询AO4403L的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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