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零件图片（仅供参考）
规格参数
AOD4186 是一款由 AOS 制造的 N 沟道功率 MOSFET，采用 TO-252（D-Pak）表面贴装封装。其核心电气参数包括 40V 的漏源电压（Vdss），以及在 10V Vgs 和 20A Id 条件下低至 15 毫欧的最大导通电阻，这确保了在开关和功率路径应用中具有极低的传导损耗。
该器件具备优秀的开关特性，最大栅极电荷（Qg）仅为 20nC，有助于实现快速开关并降低开关损耗。其电流处理能力强劲，在管壳温度（Tc）条件下连续漏极电流可达 35A。宽广的工作结温范围（-55°C 至 175°C）与良好的热性能（Tc 下功率耗散 50W）使其能够适应各种环境要求。这些特性共同构成了其在高效电源转换和电机驱动等应用中的核心价值。
基本参数：
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